插入损耗和频率的关系

有个问题困惑至今，就是插入损耗和频率有无关系，若有，可否用公式表示？
以下为个人思考过程，理论和现实的矛盾之处。
理论：按照插损的公式IL=-20lgT（T为传输系数），插损只和T有关，T只和阻抗有关，这样的话，插损岂不是只和阻抗有关，而和频率无关。
现实：但现实的微波元器件在给出插损时，一般都是说在某个频点，比如某型号同轴连接器铭牌上写着：f=10GHz，IL=0.15dB
而且在测试50欧同轴电缆的，高频下插损明显比低频要大，这个如何解释？

 

这里理论和现实没有矛盾，你要注意到理论中的那个阻抗也是频率的函数啊。

 

这个阻抗是特征阻抗吧，特征阻抗是传输线的本质属性，和频率无关

 

如何确定这个“阻抗”是特征阻抗？如果有文献支持，请写出reference。
IL = -20*log10|S21| (dB)，S21难道不是频率的函数？

 

这里的阻抗肯定不是指特征阻抗，而且就算是特征阻抗，也是频率的函数

 

我觉得楼主你这是在偷换概念 首先，传输系数T是定义在一个平面上的 因此你所说的插入损耗并没有把实际接入器件（有一定电长度哦）的导体损耗和介质损耗包括在内，只是在某一平面的传输与反射实际上介质损耗是频率的函数并且频率越高单位损耗越大 还有同轴的特性阻抗确实是不随频率改变只与内外导体直径之比有关

 

特征阻抗咋和频率有关系啊，50欧的同轴线传输900M和1800M的信号时，特征阻抗都是50欧啊

 

我那是指一般情况下传输线的特征阻抗和频率都是有关系的，同轴线只不过在较宽的一段频率内几乎不随频率改变而已，超过这个范围就可以看出来明显改变了。这些结论你都可以使用HFSS仿真验证的。

 

《微波工程》（POZAR）中第53-54页写到“特征阻抗为Z0的传输线馈接到不同特征阻抗Z1的传输线上，设负载无穷长，则没有反射来自终端，则发射系数是Г=(Z1-Z0)/(Z1+Z0)
传输系数T=1+Г=2Z1/Z1+Z0
电路中两点间的传输系数常常用dB表示成插入损耗IL
IL=-20lg[T]”
还有，如果S21是频率的函数，那具体是什么函数关系，有无表达式表示？

 

传输线的特征阻抗只和传输线的尺寸及填充媒质有关，和频率无关。
而且同轴线都是有截止频率的，超过截止频率就会出现高次模，这时候就不能正常工作了。

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