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半导体研究所制备成功RF MEMS振荡器

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中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，制备成功RF MEMS振荡器。

基于微纳谐振器的MEMS振荡器，具有高频、高品质因子（>103），可与IC电路在同一芯片集成，实现系统小型化，在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。

中国科学院半导体研究所成功制作了高性能全硅MEMS振荡器，基频达149MHz，高阶频率达868MHz，大气中品质因子>8000，相位噪声在1kHz达到-68dBc/Hz，10kHz达到-95 dBc/Hz，短期频率稳定度小于±1 ppm，中期频率稳定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振荡器比石英晶振在性能、体积和生产成本方面明显占优，更符合现代电子产品的标准。全球时脉市场规模达50亿美元，目前MEMS振荡器市场占有率在4%以下，但预估2013～2015年，将有高达100%的年增长率。

半导体所在谐振器设计、制作、封装和驱动电路研制方面取得了一系列具有自主知识产权的研究成果，技术已成熟，正在转让。