飞思卡尔发布用于TD-SCDMA基站的高功率RFIC

          在全球掀起部署下一代无线标准产品的浪潮中，飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。

          新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB的高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个，不但节约了电路板空间，而且降低了功率消耗和成本。

          MW6IC2240NB是一个LDMOS双级RFIC。当用于28V的最终放大器应用上时，在输出功率为35dBm的2,010MHz到2,025MHz的频率范围内，能够提供28dB的增益、-47dBc的ALT1和-49dBc的ALT2(6载波TD-SCDMA信号)。MW6IC2240NB的操作电压是26至32伏，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用TO-272塑料封装。

          除MW6IC2240NB外，飞思卡尔还推出了另外6款适合于多载波应用(如CDMA、W-CDMA和TD-SCDMA)的LDMOS和MOSFET功率放大器。他们运行在2010至2170MHz的频率范围内，这些设备是：

          MHV5IC2215N: 双级LDMOS驱动放大器，具有23dBm的输出功率、27.5dB的增益、49dBc的ALT1和-50dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。.

          MRF6S21060N: N信道、增强模式横向功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、15.5dB的增益、-48dBc的ALT1和-49dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号).

          MRF6S21100N: N信道、增强模式横向功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、14.5dB的增益、-49dBc的ALT1和-51dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号).

          MRF6S21100H: N个信道、增强模式横向功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、16dB的增益、-51dBc的ALT1和-53dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

          MW6IC2015NB: 双级LDMOS驱动放大器，具有25dBm的输出功率，27dB的增益、-50dBc的ALT1和-52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

          MRF7S19080H: N信道、增强模式横向功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、18db的增益, -51dBc的ALT1和-52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

          所有设备都符合RoHS标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了MRF6S21100H和MRF7S19080H外，所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装，温度范围为200度。

供货情况

          MW6IC2240NB、MRF7S19080H、MHV5IC2215N、MRF6S21060N、MRF6S21100N、MRF6S21100H和MW6IC2015NB现均已批量生产并已上市。如需了解样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、您当地的飞思卡尔销售办公室或授权经销商联系。