瑞萨科技发布硅锗功率晶体管有助于开发低功耗产品

        瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。

        作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。

RQG2003的功能总结如下

        (1)业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品

        在5GHz和2.4GHz频段，RQG2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。

        (a)5GHz频段：6.4dB的功率增益，26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率，5.8GHz条件下的功率增加效率为33.6%

        (b)2.4GHz频段：13.0dB的功率增益，26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率，2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0%

        这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善，例如，5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。

        该性能有助于降低IEEE802.11a兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g*3 兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。

        2)小而薄的无铅封装

        该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。

其他产品细节

        (1)关于RQG2003

        ·RQG2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。

        利用这种双沟道结构可以实现2.4GHz和5GHz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。

        ·该器件采用了一种SiGeC工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的HSG2002相比，集电极电流密度有所增加，1dB增益压缩功率大约改善了1.5dBm。

        (2)完全无铅封装

        为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，RQG2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了Sn-Bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。

        瑞萨科技计划进一步扩展RQG系列硅锗功率晶体管的LNA(低噪声放大器)RQG1xxx和PA(功率放大器)RQG2xxx阵容，并继续开发RQL系列硅锗MMIC的LNA RQL1xxx和PA RQL2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。

典型应用

        ·无线LAN终端：2.4GHz/5GHz频段(符合IEEE802.11a/b/g标准)

        ·RF标签读/写机：2.4GHz

        ·数字无绳电话：2.4GHz/5.8GHz。