TRIQUINT 推出氮化镓产品

2008年6月18日，美国俄勒冈州希尔巴罗及佐治亚州亚特兰大讯 – 著名射频半导体生产商和代工服务提供商 TriQuint Semiconductor (Nasdaq: TQNT) 日前宣布，推出首款氮化镓 (GaN) 功率晶体管支持各种高频应用，包括移动基站、防卫和太空通信系统。TriQuint同时宣布，将于2008年9月开始在业内首度经营 GaN代工服务，帮助客户进行电路设计。

氮化镓代表最新一代放大器技术，功率密度大大高于其他工艺，可以显著节省电源费用，缩小器件规格满足空间受限的设计要求，并有助于改进功耗、尺寸和重量以支持各种通信应用。这些优点可以帮助客户提高性能，降低系统总成本，有利于网络系统运营商减少碳排放，努力减小对于全球变暖的影响。

TriQuint 在6月15-20日于佐治亚州亚特兰大举行的 IEEE IMS MTT-S 国际微波年会上，首度推出高频 GaN 系列产品。这些晶片级器件的功率密度是高压砷化镓器件的2.5倍。新型 GaN 器件工作频率达到18 GHz，功率附加效率 (PAE) 55%，可产生90 W输出功率。

由于工作功率密度高 (每平方毫米更高瓦数)，比常用固态放大器技术更高效，GaN 功率技术具有更加显著的军用和商用利益。这些因素推动了可在更高系统电压下工作更高效、更加小型化放大器的发展，从而减小整体系统电流要求，降低功率转换成本。

“TriQuint 承接的 DARPA (美国国防部高级研究计划署) 高功率、高频率放大器研发项目进展顺利。今天推出的新品是我们的第一款商业版，我们为这一产品在广大客户面前公开亮相感到高兴，” TriQuint 军品营销部总监 Gailon Brehm 博士说，“GaN 是我们为客户提供的几种高功率工艺之一，具有独特的优点–显著提高的功率密度、高频和恶劣条件下的可靠性，可以满足高频、高功率应用设计人员的要求。”

3月，TriQuint 宣布获得IQE Plc 历史上最大一笔订单。这项2008年全年供货的订单将进一步推动TriQuint 商用和军用新品的开发和量产。

“根据市场研究机构 Strategy Analytics 的分析，军事领域雷达、通信、EW [电子战] 和智能军需平台今后的发展将拉动 GaN 需求。同时，这一技术在无线系统架构和卫星通信，以及广播和医疗市场也存在着广泛的商品化机遇。GaN 所具有的高频大功率，以及高电压和宽带宽性能等特点，使氮化镓技术有着广泛的市场应用前景。GaN 其他优点包括规格小，重量轻，从而提高了系统效率，这将有利于节省资本和运营费，” Strategy Analytics GaAs 市场 GaAs 与半导体技术总监 Asif Anwar 说。

“Strategy Analytics 认为，市场上有其他替代 GaN 的放大器加工技术…在这仅限于大规模氮化镓标准产品开发早期阶段的时候，代工服务可以为早期开发提供支持。在这方面，TriQuint 在所有这些市场中的经验，以及该公司作为代工供应商的主导地位，使TriQuint 具有很强的竞争优势，”他补充道。

6月18日 TriQuint 宣布，将于2008年9月开始经营氮化镓代工服务。Brehm 博士指出，TriQuint 公司 GaN 代工服务将首先以Ku 频段功率放大器应用为重点。

“现在，我们推出了 GaN分立元件放大器系列应用于防卫、民用和空间领域的第一款产品，2008年9月开始，我们欢迎完成自己电路设计的代工客户与我们合作，”Brehm 博士说，“我们希望与客户洽谈，确定他们的要求并制定可以顺利实施的生产计划。”

欢迎6月17-19日到佐治亚州国际会议中心参观 TriQuint 公司 IMS MTT-S 展台 (#1027)。TGF2023-xx 系列 GaN 功率晶体管首款产品数据表不久将公布在以下网站：www.triquint.com。登录网站了解详细信息或与 TriQuint 联系：GaN Foundry e-mail: lisa.howard@tqs.com；GaN 分立器件 e-mail: grant.wilcox@tqs.com。关于 TriQuint 网络、手机和空间应用的各种产品详细信息，请访问： www.triquint.com. 若想注册接收新品详细资料和我们的新闻通讯，请访问：www.triquint.com/rf。