關於GaN功放管的特性
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您好請問各位前輩,我近來使用CGH40010F功放管做10W放大器,但是看其特性碰到問題,針對我們一般對功放線性度,乃以看P1dB為基本,換言之Gain在小功率為constant 當其掉1DB我們判斷此點為P1DB,但請各位看我上傳這張圖的特性,雖然說
其datasheer寫道Psat=10W,但是可以看到其P1DB到Psat,有一大段距離,請問是否這是GAN製程特性,因為它的gain 是有一個較小的斜率一直延伸到Psat所以GAIN是一直掉的,若是以PIdB定義來看,他大概指有24W左右,因為使用過GaAs製成,其P1dB道Psat是及其接近的,亦或是我們在通訊系統中使用不看他增益掉了幾dB只要維持在一個可接受的gain即可,這是我的問題,請大家給予指教及討論。
其datasheer寫道Psat=10W,但是可以看到其P1DB到Psat,有一大段距離,請問是否這是GAN製程特性,因為它的gain 是有一個較小的斜率一直延伸到Psat所以GAIN是一直掉的,若是以PIdB定義來看,他大概指有24W左右,因為使用過GaAs製成,其P1dB道Psat是及其接近的,亦或是我們在通訊系統中使用不看他增益掉了幾dB只要維持在一個可接受的gain即可,這是我的問題,請大家給予指教及討論。
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