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新日本低噪声放大器GaAs MMIC NJG1128HB6开始供货
新日本无线已研发成功NJG1128HB6,并开始样品供货。NJG1128HB6是配备旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC ,最适用于450MHz频带CDMA手机。
采用CMOS技术实现高频电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器,因而需要外置高性能的低噪声放大器。 而NJG1128HB6则能够解决上述问题。这款低噪声放大器配备有旁通电路,主要用于450MHz频带CDMA手机。
NJG1128HB6由低噪声放大器、旁通电路和控制用逻辑电路构成,实现了IIP3=+8dBm min. @ 460-470MHz(高增益模式时)的低失真特性,简化了信号接收电路的设计。
当电场输入处于正常状态时,通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅(高增益模式)。当处于强电场输入状态时,由于无需对信号进行增幅,因此NJG1128HB6还内置有不通过低噪声放大器的旁通电路,使低噪声放大器在此时处于待机状态,从而实现了低消耗电流(低增益模式)。
上述高、低增益模式的切换,可通过控制逻辑电路以1比特控制信号得以实现,利用微处理器即可进行控制。
NJG1128HB6具有以下特征,适用于450MHz频带CDMA手机的低噪声放大器:
①采用HJ FET工艺,实现了高线性特性。
IIP3=+8dBm(min.) @ 高增益模式时 / IIP3=+15dBm(min.) @ 低增益模式时
②低增益模式时实现了15μA(typ.)的低消耗电流。
③内置控制用逻辑电路,便于进行模式切换(控制电压"High"=高增益模式)
2007年4月开始发放NJG1128HB6样品,6月开始正式投入生产,投产后预定月产量为30万只。样品价格为50日元。
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