BCD工艺中多晶电阻耐压问题？
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各位好，现行BCD工艺中多晶电阻耐压最高可做到多少?
干嘛要问最高啊?
用过ASMS的BCD工艺，最高可50V以上
很高，100V也没问题
FOUNDRY有提供这个参数吗?比如阱电阻，可以根据结耐压确定.最近翻了个片子，多晶电阻做在600V耗尽管的漂移区，一端接此耗尽管DRAIN端，另一端接地，而这个600V耗尽管的DRAIN端接市电半波整流电路的输出，也就是说这个电阻耐压达到300V了?
请问怎么确定的呢?
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