ＣＭＯＳ工艺中设计光电二极管器件

本人设计的一款前端芯片，目前使用的是外接的光电二极管器件。想请教下，如何在ＣＭＯＳ工艺里面，如何使用Ｎ_well/p_sub,设计一个ＰＮ结，来实现——将光电二极管也集成在芯片内?如何设计这样的集成光电二极管，我目前大致明白了原理，我看了很多相关论文，知道这个是可行的。我主要不明白的是：如何在工艺上实现?如果我使用的１Ｐ６Ｍ工艺，不知道怎样设计这个光电二极管的物理层?Ｎ_well上面是不是会覆盖很厚的氧化层?这样会不会造成输入光照射不进ＰＮ结?
有谁对工艺很熟的吗?知道这里面设计的工艺问题吗?

有谁做过类似这样的集成芯片吗?

等人回复

帮你顶~

你这是什么应用?探测红外，紫外，还是可见光?

   我目前正在尝试做这样的ＣＭＯＳ　ＯＥＩＣ，可见光到近红外光都可以，光源的波长并没有关系。我只是不清楚怎样在设计版图，需要特定的掩模版吗?

求助求助lz，我现在做个类似光控开关的东西，也需要将光敏器件集成在芯片上，我想问下lz看的论文大致有什么啊，我在cnki上找半天找不到，所有光控都是外接的。求提供几个题目或者是关键字啥的，不胜感激！

   我们是研究机构，我看的一般是英文，ＩＥＥＥ上检索的，检索的关键词：cmos photodiode/photodetector.

   谢谢！

may be you need to see cmos sensor's ,like  T3,T4

不知小编是否解决CMOS工艺光电二极管的版图问题?

小编找到解决问题的方法吗?

红外和紫外都是电路和sensor分开的
可见光的应该是特殊的工艺吧，电路上要做遮盖，要不光照影响电路工作啊

    需要把钝化层腐蚀一部分，且光电二极管上最好不要画金属

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