串联结构中mos管的工作状态

是的，手推可以得出这个结论。

这个不难推吧，在超低功耗的设计中比较常见

   为什么啊?M3一定工作在饱和区是吗?

    把M1，M2，M3看成一个管子M，M肯定在饱和区。
M在饱和区，那么反型层肯定在M3截断，M1，M2从源到漏都有反型层，所以M1，M2肯定在线性区，M3肯定在饱和区。

    我是根据VDS和VGS、Vth的关系推的。你这解释简洁

如果用公式推的话，我很快就晕了。
我是这样想的，假设MOS管导通，这是前提。如果VG-VD>VTH，MOS管在线性区，因为VGD超过阈值电压，在MOS管漏端附近的沟道形成了反型区。反之，MOS管在饱和区，因为VGD小于阈值电压，在漏端附近不足以形成反型区。图中三个管子都可以这样分析。

一个管子的L，沿沟道切成三块，就是三个管子串联了啊

我是这样想的：
电压通过电流源提供合适的偏置电压va
      M3是二极管连接，一定饱和。va-vb>Vth3
假设M2饱和，则vb>va-Vth2，得出va-vb<Vth2。这就矛盾了，因此假设错误，M2只能工作在线性区。
    同样可以先假设M1工作在饱和区，则vc>va-Vth1。对于M2，va-vc>Vth2，得出vc<va-Vth2，还是得出矛盾。
因此M1也只能工作在线性区。

学习学习  呵呵

一个管子的L，沿沟道切成三块，就是三个管子串联了啊
这种思想学习了，厉害~

这个能得出都饱和

5楼的思想值得学习

受用了  大神们

Thanks for your analysis.
mpig

    有意思的

手推的确是一件很没意思的事情，不过，如果你会因手推而晕的话，我还是建议你手推吧，直到不晕为止，

学习学习

从上往下推

小草的方法直接、、、

   为什么在低功耗中常见，我最近再要一个静态功耗只有1uA中电路中，也看见了这种结构的基准、

    为什么在低功耗中常见，我最近在一个静态功耗只有1uA中电路中，也看见了这种结构的基准、能不能指点一下M1、M2、M3的尺寸具体怎门计算(支路电流=150nA,基准输出电压M3栅极=1.25V)，或是他们的漏电压从上到下，间隔多大下降到地电压合适

三个管子的vth都一样吗?如果不一样是否就不存在你说的矛盾?

得看这三个管子是否是一样的吧，如果是一样的那小编的猜测肯定是对的。
如果三个管子可以任意取值，那么应该是存在特殊情况下，使得最下面的管子在饱和区的。

通俗易懂，赞

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