LDO 设计讨论

我是新手，正在设计一款LDO。设计要求如下：Vin 0~5V
Vout=3.3v (希望Vout在输入电压Vin小于3.3V时能够跟随Vin变化)
Iload max=100mA
Cout(希望在一个比较宽的范围里，0.2u~5u) Resr很小可忽略不计
dropout voltage=200mV
PSR 在全负载电流范围，-60dB@100kHz  -40dB@1M
line regulation +/-40mV@100mA
LoadRegulation +/-50mV@0mA--->100mA
输出精度+/-5%
我已经做了一款，感觉面积有些大，psr有些勉强，输出电容最小值未达到目标。
请有经验的大神给评评，这个要求算啥难度呢?感觉市面上这根本不算啥呀，可是找文章做设计的时候却很难找到适合的。
我看过了很多文章，感觉可用的太少了。可能是我对一些文章的理解不到位吧，还请大侠们分享下可靠的设计文章。

很不错，这个LDO的PSR有些挑战，其他的还好

   是的，我也觉得PSR很不好弄，对PSR的分析也不够确切。结合所有的条件感觉到，能用的方案太少了。不知确实是这样吗?

标题
我也在做一个capless Ldo负载45ma,电池供电，输出3.3v，输出电容40p,也要求1M处-40dB，我只能做到100k -40dB，1M地方实在做不到,你是用哪种架构做的?

输入低于3.3v，输出多少?大管用nmos的话PSR会好很多的

PSRR不算很难

你好，你有什么能提高高频处PSRR的方法吗?我现在也在做一个Capless LDO ，输出3.5-4.2，输出3.3，输出电容40P，负载最大45mA，要求1K-1M范围内，PSRR在40dB以上。

   在全负载电流范围

   我的设计要求跟你的却别挺大的，我PSR也不是所有条件下都可以满足。EA是带本地共模电阻的AB-OTA，不要buffer,但在EA输出加二极管链接的sense pMOS和工作在线性去的MOS降低EA输出电阻（在保证一定增益的情况下），主极点放在LDO输出端，次极点在EA输出端，用VCCS零点补偿次极点。

   200mV压差呀，NMOS不行吧。

全负载电流，全温度范围，全工艺角，还有变化的输入电压呢，感觉是不可能完成的啊！还望大侠指点。各个影响都不小啊！

   大侠有没有业界实例，参考下。多谢多谢！

   请问在低频时PSRR怎么提高的，除了增加前级放大器的增益，在电流镜或者器件尺寸方面有什么要求么?本人理论知识不扎实，请小编指教一下

提高psr，必须把ea增益做大，目的是减小输出电阻，再考虑一些ripple cancellation的办法，基本上就可以做到了

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