BUCK DC-DC , gate drive circuit design

大家好。刚开始设计dcdc，碰到很多问题，十分希望能跟有经验的朋友请教。下面是其中问题之一：
DCDC中的power pmos/nmos由PWM信号经过一串inverter后驱动，pmoshe nmos的gate信号名分别为PG和NG。看资料说，如果PG和NG上升/下降沿之间的延迟如果太小则会导致short current, 太大则会导致nmos 的 diode导通时间过长，这个我理解了，但是具体这个delay应该取多少呢?有没有什么准则?另外上升沿与下降沿delay应该一致吗?这部分设计不合理的话会不会影响电路的输出noise特性?
问题比较多，谢先。

适量，或少许，谢谢！

没人知道吗?

dc2dc  deadtime 一般會 10~50ns ..
因為有個問題是 chip內建大的　mos 嗎 ?
如果是 那一般內建mos 可能會使用 isoNmos + nmos
前面使用 no overlap circuit 來推 ,
會設 10~20ns 是因為有 rise/fall time
但是如果是推外面chip 要看 driver 的推力
如果 mos ciss 很大 因為 mos gate 看到其實是 miller effect 電容
會比 CISS 大很多 , 太小 deadtime 會出問題 .
還有些設計deadtime會 < 10ns ..因為 如 mos vth 高些就算有
overlap 但是 因為 mos Vth夠高..所以可能還好 ..
比較麻煩的是 deadtime 歲隨 process model 飄 ..當deadtime設很小可能
某些 corner model simulation 會有問題 .
還有的設計使用 cap + 穩定電流來產生 deadtime

1，通常的简单做法是在两串inverter chain中间插入NAND和NOR，目的是在NMOS关闭之前阻止PMOS打开和在PMOS关闭之前阻止NMOS打开。这个时候dead time t1和t2是由两个propagation delay决定的；正如楼上说的会随温度，工艺，电压变化而变化，所以一般会多放些10-50ns。这两个dead time不用而且一般也不是完全一样，对电路除了效率外没什么影响。
2，先进做法是当PMOS关闭后检测Switch Node降到零电压后在打开NMOS；这样dead time就可以自动调节而且始终保持最优。但是电路上比较复杂而且对Switch Node的noise比较敏感。

我在一个buck的应用设计中见到一个少有的建议，要求增加一个肖特基二极管来补偿overlapping期间的通路，具体描述为：An external Schottky diode is needed to cover the non-overlapping period of NMOS and PMOS。 这一般是由于什么原因引起的?

这是防止反向电流的吧！

try google predictive gate driver

两个原因：
1，提高效率。NMOS下管也有body diode，但是压降远高于外部schottky diode。
2，防止芯片Latchup。过多电流流过NMOS下管body diode，可能使Switch Node到-0.7V以下，可能turn on parasitic NPN产生Latchup。

9# minch
我也见到这种外界schottky diode，当时纳闷NMOS不是有寄生diode了吗。
刚google了一下，schottky diode的正向压降只0.3-0.6V。
你说的第二点，如果没有这个diode的话会发生吗?PMOS和NMOS不会靠的太近吧?

讨论得不错，支持一下。

thank you

看看  谢谢

弱问一下，没做过同步buck，但是见到的是 两个功率NMOS， 不知道小编提到的带PMOS的是哪种?给个资料 或者框图看看 谢谢

Good info

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。