带隙中的电阻问题？
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本人菜鸟，这几天在做一个带隙，用的是smic018的工艺，电阻采用的是Non-silicide p+ poly (模型名称：rpposab)，仿真的时候发现电阻两端没有压降，电路无法正常工作，但换成普通电阻就可以，用DC Operating Points 和op也显示不出多晶硅电阻的参数。上网搜了一下，也问了实验室的师兄，还是没解决问题，只好发贴求助了，不知道版上的大神们有没有遇到过这种情况?该如何解决呢?多谢各位了！
自己顶一下
subckt 的形式
模型调用不正确，现在大部分模型都是subckt模型
MODEL is Wrong. It happen.
你新开一个文件夹，单用一个工艺库试试，以前就碰到过不同工艺厂的库放在一起出莫名其妙的问题
想问下这个电阻是如何选择的，除了考虑功耗和面积外，还要考虑哪些问题?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
