MOS管在Cadence中仿真时，它的Vdsat是怎么得来的？
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如题，在一个模拟电路中，用Cadence对其进行仿真时，仿完后每个MOS管就会出现几个直流参数，其中的Vdsat应该是等于Vgs—Vth。可是把这几个值拿来一对应，又不对。请问这个Vdsat是怎么得来的啊?
大家别说是用公式根据工艺参数而算出来的啊！
恕我肤浅，应该等于吧，是不是你管子设置的问题，管子没有工作在饱和区?随着你仿真的corner变化vth也可能变化
当然是工作在饱和区啊，我使用的是chrt35工艺库的。
如果是二阶模型，是相等的。但是仿真中通常用的不是二阶模型，而是bsim3v3,bsim4之类的高阶模型，所以，不相等也就不奇怪了。
简单的说，vdsat就是饱和区和线性区的分界点。在仿真时，就抛弃Vgs-Vth这个概念吧！
model不一样，那肯定不相等啊，
相等时的模型只是用来手算的
5#应该是对的吧。
仿的时候看vds和vdsat的关系吧
小编说的是长管期间的模型，现在亚微米时代，公式都有很大的修正，所以不等。
经过我和同事的分析一般认为这是由于速度饱和而引起。即当Vgs比较大时，MOS管已经趋于速度饱和，所以你会发现你仿出来的Vdsat会小于VGS-VT。（可以粗略的理解为，由于速度饱和，所以虽然你的VGS很大，但真正“有用”的VGS则没那么大）。在一般的应用中，Vgs不会取太大，一般为0点几伏，这样仿出来的Vdsat基本与Vgs-Vth差不多。
建议你去看RAZAVI的第17还是十八章
仿真时是用的是高阶模型，由于速度饱和引起两值不等，一般书上都是用的二阶方程，所以认为Vod=Vdsat
《模拟设计精粹》一书里面第一章介绍MOS管时，提到一个参数n，在第7面
这个是由于速度饱和造成的吧? 如果是长沟器件会好些?
呵呵呵，看看
vdsat = vgs -vth or a little smaller
1# cheng2002520
在长沟道模型里，应该是近似相等
在亚微米一下就不成立了，Vdsat可能比Vod大，也可能比他小，关键看管子的偏置点
我觉得应该是相等的吧
1# cheng2002520
accroding to the w/l ratio you design
有一篇讲解过驱动电压不等于Vdsat的文档，你看看就知道了，短沟器件速度饱和
chrt35
VdsatVdsatVdsatVdsat
我觉得5楼说的比较有道理。
dddddddddddd
学习了啊
应该是手工计算和model仿真的误差导致的不相等
xuexile
学习了啊学习了
学习了
短沟器件速度饱和
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