为什么做Bandgap的都喜欢PNP不是diode

    Same question here ~

   我觉得有这么几个原因吧，
   1) Sansen在他的书里有说过，diode的电流表达式的kT/q前面有系数1.05-1.1之间，这个系数应该是由于recombination current的存在，可以参看施敏的书Physics of Semiconductor Devices。而BJT则没有这个系数，我觉得BJT应该也有这个系数，但估计非常接近于1。但diode的这个系数应该不是什么大问题
   2）我觉得最关键的原因是，当构建pn diode时，先要在p-sub上做n-well，再在nwell里面用p-diff。很显然p-sub到n-well这个diode是不能用的。只能用p-diff到n-well这个diode，这样其实pdiff-nwell-psub就是个寄生的BJT。如果将nwell和pdiff分开连接的话，电流流过n-well，会存在将这个寄生BJT打开的风险，这样电流就漏掉了。
   3）从foundry的角度考虑，既然BJT可以用作diode，就应该没有必要去做p-diff到n-well的model, 所以直接去用这个diode可能会不太准。我没试过，但我猜model上会存在一定问题，毕竟工作方式跟diode-connected BJT并不完全一样。

    谢哥！我一直没做过，就是看论文里看到的经验～
    觉得可能也是diode建模的问题，因为用过的工艺有的的确没有给寄生的bjt建模，毕竟衬底在diode的schematic里都不表示，建模时寄生的p-sub到底怎么连实际上到底怎么连还是不确定的，所以工艺库就忽略这个了。
    还有觉得可能是leakage的问题，diode里面leakage在高温下可能一部分直接流进substrate里了，对于PNP可能P region有更大的收集作用，这部分电流就又失而复得了。
   继续看看其他老司机怎么说～

   楼上正解

学习~

In August 1962 at the Western Electronic Show and Conference (WES-
CON) in Los Angeles, H. C. Lin presented another very important contri- bution for the future design of Linear Integrated circuits. In a paper titled “Diode Operation of a Transistor in Functional Blocks” he argued that for the reason of matching of components it is more convenient to use the tran- sistor structures rather than a diode. Lin’s idea of matching devices changed the design methodology of linear integrated circuits.

Dr. Hung Chang Lin, inventor of matching of integrated devices and the PNP lateral transistor

是因为匹配性更好而不是上面提到的model更准吗?

这个问题以前讨论过的
http://bbs.eetop.cn/thread-147627-1-1.html

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