如何从工艺库中提取一级手机计算参数
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由于最近想尝试着设计一下一个两级运放，但是每次都设计不好，看了一些指南，说要提取参数
请问如何从工艺库中提取一级手机计算参数，比如说tox,vthn,vthp,un,up
我提取的手工模型，为什么hspice跑后，vth和计算的相差很大。还有一般两级运放各管子都工作什么状态！
请问如何从工艺库中提取一级手机计算参数，比如说tox,vthn,vthp,un,up
我提取的手工模型，为什么hspice跑后，vth和计算的相差很大。还有一般两级运放各管子都工作什么状态！
同问~希望高手能解答一下
Vth:
http://www.eetop.cn/bbs/thread-168942-1-6.html
切线的斜率就是un/up.
那一般运放的各管子工作于什么状态呢
tox=Lmin/50是个大概的值
其他值都可以再model里面找到
基本在饱和区，去过没有特别要求！
一般来讲关心饱和区的性能。可以将MOS接成diode的样子。
那是不是除了tox，其他的都可以直接使用库里面level49的参数呢?
学习学习
應該不需要提取參數吧
設計時要注意
1. 元件工作在你要的工作區
2. 無法和HSPICE完全相同，有個5%誤差合理
但要想清楚，這些誤差從那來
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