电流检测电路

现在要做一个buck high-side mos的电流检测电路，想利用bonding wire的等效电阻来做采样电阻，检测bonding wire的两端电压进行放大处理，理论上看起来可行，但是实际操作起来有什么问题?不知道有人做过么?

bonding wire的电阻这么不稳定，做采样?为啥不找个大点的电阻?

   有人做么做过的，需要trim，或者自校准。还有温度特性很难控制吧

   “封装厂对于bonding wire以及MOS芯片的放置的控制是很严格的，所以从这个意义上说，这个电阻是很准的，温度系数也是确定的”
    这个是老板的原话，你有啥意见?
    没有办法啊，环境使然的想法。

     不知道啊，老板说很准，我没有验证过。

    看你是什么厂什么标准了，按射频的那方向长度都有要求自然很准，价格也很贵；小厂好点一般也就是个金丝球焊，控制到10um很好了；如果是作坊手邦…那就呵呵了…

    看样子你老板不差钱，找amkor吧，和他们的ce联系，要啥有啥。

mark...

linear的有些dc-dc芯片，用功率管电源走线的寄生电阻做开关电流采样电阻，和你这个是异曲同工啊，

bonding wire还是很准的，不过阻值很小，检测时对运放的offset要求较高。

想请教下，VCCP和VCC分开bond，VCCP流过大电流，VCC流过小电流，这样就可以通过检测VCCP和VCC得到压差，linear的做法是这样，对吧?

可看下封装厂的bonding spec里面有没标出电阻参数变化范围

   bonding没有分开，只是功率管电源线形似倒放的梯形，梯形上底下底电压差就是电流采样信号，如下图；所以采样电阻就是梯形金属线左右两端之间的寄生电阻，

是这样啊，看了一个工艺的spec，顶层厚金属的电阻变化为10%，不过温度系数为4000PPM，比一般1k poly电阻的600PPM大得多
百度了下，铝和铜的温度系数都是4000PPM，也就是在-40 125的温度范围内变化正负35%

   是检测片内金属电阻上的压降，还是bounding wire上的?

金属走线上的，

   早点看你这帖子就好了，当初找芯片里的采样电阻找了好几周
话说最终你们逆了?也是用金属电阻做采样么?

linear的看过，自己的晶圆厂温度系数、精度什么的自己说了算，还有trim。
靠bongding去检测，精度掌握在封装厂手上，固晶、bongding弧度、金属融合度及落点引线均匀度等等都影响。可以去试试，试出来了跟大伙分享吧。

   have a look

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