pmos电流镜问题
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设计一个2mA的pmos电流镜时。电流镜中的偏置管M3的D级已知为1.4V左右，假设它的G级电压为1.5v，而S级与衬底都是1.8V的话,在cadence中设置M3的沟道长度为400nm，宽度为变量，仿真出来的电流与宽度的关系曲线时，电流只有nA数量级。然而把管子的Multiplier要改为10000时，才会让MOS管的Id为mA的数量级。
最后仿真出来要获得2mA的电流，M3的尺寸为下图所示。为什么pmos管的电流会这么小?要这么大的管子来实现?[img]file:///D:/Program%20Files/Tencent/QQ/Users/476200320/Image/(`W$JDKGM3PD10Y1E6}G@[6.jpg[/img]
最后仿真出来要获得2mA的电流，M3的尺寸为下图所示。为什么pmos管的电流会这么小?要这么大的管子来实现?[img]file:///D:/Program%20Files/Tencent/QQ/Users/476200320/Image/(`W$JDKGM3PD10Y1E6}G@[6.jpg[/img]
补发图片下，
无语...vsg=0.3v，你的p管导通了么?
哦，是这样啊
汗一个！
M3的栅压1.5，而S端电压为1.8，那么Vgs就太小了，M3在亚阈值区工作了。可以降低阻抗值来使得M3的栅压变得更低一些，使M3开启。
great support
rencai
要先看 print operation point里面的工作区域阿
是的。呵呵pMOS迁移率本来就低，当然要很大的宽W.我也是菜鸟，学习了
thanks
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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