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silvaco模拟INGAAS PIN 探测器问题

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请教高手,模拟INGAAS PIN 探测器时,除了吸收层材料需要设置光学参数外,上下INP 层的吸收参数需要设置吗?如何设计?急盼

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看不懂

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帮忙顶,想学学

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我不是做这个方面的,仅供参考。这个图挺有名的,就是bandgap与晶格常数的关系。实线代表direct bandgap。
InP就是属于这类的,所以光先通过这层的话,就应设吸收参数。



附上从Google找的吸收参数图,不一定完全正确。


帮你顶起


您好,我是silvaco的初学者,现在也想学习模拟InGaAs/InP探测器,但找不到合适的例子。请问您能否在这方面给我一些指点,不胜感激!
(我的邮箱schnyder@126.com)

请问怎么设置接收层材料的光学参数,我是silvaco的初学者,可以的话可以把有关资料发到我的邮箱里吗?谢谢!511214992@qq.com


当然需要,否则光都被InP层吸收了怎么办?

老衲法力有限

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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