三星电子推出首个30纳米ＤＲＡＭ内存芯片

        韩国三星电子１日说，该公司已成功研制出世界上首个３０纳米ＤＲＡＭ内存芯片，容量为２兆，并计划今年下半年批量生产。

        三星电子当天发表声明说，今年第一季度，第三代内存芯片（ＤＤＲ３）将成为市场主流，而三星电子利用３０纳米工艺将可以生产目前最先进的低耗电量第三代内存芯片，从而使公司在内存市场上保持最具竞争力的地位。

        三星电子说，这一新产品的生产率比４０纳米ＤＲＡＭ内存芯片提高了６０％，耗电量仅相当于５０纳米级和４０纳米级技术的７０％和８５％。 

        三星电子表示，从４０纳米级到３０纳米级技术，三星电子只用了１年时间就研制成功，比从５０纳米级到４０纳米级所用２８个月的时间大大缩短。