关于亚阈值区MOS管温度系数

让MOS 二极管连接，并让它工作在亚阈值区。考虑到Vgs与电流的指数关系，可以将它作为三极管来用。真正的三极管的Vbe的温度系数是负的（室温）， 我想知道处于亚阈值区MOS管的Vgs温度系数是正的还是负的，我尝试过去推导，貌似很复杂～请大侠指教！

VGS和载流子迁移率以及VT有关，前者是正的，后者是负的，所以很难说是正温度系数还是负温度系数，要分区域看

当管子偏置低于某一特定值时，是负温度系数，这个有理论推倒
Filanovsky和Allam研究指出，当CMOS管的vgs低于一个与温度有关的特定偏置点时，它就随温度的增加而减小，即具有负的温度系数
可以搜一下这篇文章

.dc temp -40 125 1

.dc temp -40 125 1

恩，Vgs随温度变化还真有的研究

VGS 比較難說，vth倒是負的，約為-1.5mv/C

thanks

那么请问，温度对工作在亚阈值区的VGS影响比较大，还是对工作在饱和区的VGS影响比较大?

可以通过仿真来看看，不过我知道处于亚阈值区的话，Vgs固定，IDS是正温度系数的。

学习学习

温度对哪个区的影响比较大~···看偏置电流吧~这个没有定论~

讨论Vgs随温度怎么变得先确定bias电流是否固定吧

理论上注入一个合适的电流，VGS固定，实际是有一定斜率的

看过一些论文是曾拿 sub threshold region mos 当作 bipolar , 但是类似设计好像不多 见 ,  多数都宁可使用 parastic PNP  . why ?

确实是可以近似为bip

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