MOS交叠电容米勒电容

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在CMOS工艺库中，MOS管金属栅与沟道之间~交叠的沟长（就是LD）大概是个什么量级?（也就是说LD/L大概是多少），哪位高人帮我解答一下，在此先谢过。

交叠长度与井深、掺杂浓度有关，一般情况下，交叠长度与有效沟长是呈正比例关系的，比例系数大概为0.8左右，当然，对于不同的工艺这个系数多少会有点变化。对于小功率MOS来说，它的井深一般都比较小，所以，比方说，对于一个工艺库最小尺寸为600nm的管子，如果设计沟长为1um，那么交叠的长度与有效沟道长度大概是10^（-2）左右的数量级。