求教倒比管有哪些考究？！

各位大神，小弟初识模拟电路不久，想了解下，使用倒比管，比如1/10，甚至1/50，这类管子有什么不足的地方（因为只听说，尽量不使用倒比管）?！主要是我最近研究一种低的基准电流产生电路，不仅使用到部分亚阈值管子，计算发现还需要很多倒比管，求大神解惑！谢谢！

一般會使用倒比管,
通常是把MOS當resistor使用的,
把MOS 偏置在三級管區 (triode region).
MOS 偏置在飽和區(saturation region),
通常不會用倒比管

   以下为个人理解：
   MOS管的W和L分别有一个范围，以L为横坐标，W为纵坐标绘图，靠近图像的中间区域的模型准确度要高于边缘的准确度；   在饱和区使用时，对模型准确度要求较高，因此尽量选用靠近中间区域的W和L；
   另外，工艺厂对Ron的模型准确度也比较重视，因此W大，L小的情况模型准确度也较高；  
   曾经做过较低功耗的产品，带隙基准单路电流为100nA，电流镜尺寸设置为2u/30u finger=2，流片回来性能还不错；仅供参考。

Many Thanks；So 对于 几百甚至几十nA的电流，倒比的使用，某种意义上还是可行的，只是模型准确度会降低很多，或者说流片实现后与仿真偏差可能会很大。

低功耗设计大量用倒比管。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。