看到TI的LDO芯片采用折返式电流限制功能，查资料说有可能出现闩锁效应？

自己顶一下！

有点摸不着头脑，看到你说的结果我觉得跟电流折返都没关系，不知从何说起，资料怎么说的

没schematic或示意图，只能纯想象

maybe deadlocked at some unwanted state and may be not able to startup.

   谢谢回复。资料上说，限流折返曲线和负载电流曲线有可能相交，然后由于负载的非线性，可能存在功率管提供不了负载需求电流的情况，从而引起寄生的闩锁效应，，好几篇资料都有提到这个问题，建议说折返曲线的斜率不能太小，或采用其他的办法等。想了很久也不太懂这个问题。隐约记得闩锁效应是由于MOS管寄生的BJT管导通，引起大的衬底电流，然而并建立不起来联系呀，，，

之前没有发示意图，这里发一张示意图，谢谢大家的关注

  后面补发了一张图，谢谢回复。

   不懂。能给我讲讲吗，谢谢了

不懂，看图的意思就是随着VOUT的下降，进入cc，电流反折力度不能太大（电流不能减太小）。没看懂与latch up的关系，看看文章的前因后果啦！

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