SMIC 130nm 电容的mismatch问题
各位大婶,小弟有一个问题请教一下。在SMIC 130nm工艺的说明文档里面,当电容为400平方微米时候,mim capacitor的标准差(standard deviation)是0.116%。小弟问一下,130nm的匹配性能真的这么差劲吗?如果用电容来做10位二进制权重的SAR ADC,面积岂不是太恐怖了,并且电容太大,速度根本做不上去啊。
因此,想问问各位,这个电容的mismatch准吗?大家的经验值是多少呢?
PS:还有一个问题,手册里面先说sigma是标准差,然后下面却又定义成了(c1-c2)/(c1+c2)!到底sigma是指什么?
大挽尊术大沉贴术~
这里的标准差是指“(c1-c2)/(c1+c2)”的标准差
楼上正解。我曾经用SMIC18的电容做到10位多一点,并且版图上还有改进的空间。所以我觉得您这个做10位是一点问题都没有
兄弟,我给你留言怎么也不回复我,呵呵。有空加下我QQ吧,我给你的留言里面有。
nice。
OK,不太注意
弱问一下(如果方便的话),你是怎么做得?完全用电容吗?还是电容电阻混合式的?恩,还有你最小电容用的多大?当初设计的spec是什么?
谢谢,期待着您的回复。
如果是这样子的话,还有什么意义呢?如果不是正态分布的标准差的话,怎么根据mismatch选择电容大小呢?
期待着您的回复。
旁观一下,学习一下。
大沉贴术大挽尊术~
mismatch一般是正态分布,或者接近正态分布
在同一制程下,mismacth的标准差会随电容面积的变化而变化
foundry会测试出相应的变化规律
在你给出的手册里,假设sigma=A/Area
所以只要你知道某个面积的标准差,就可以用来计算满足标准差所需要的最小面积
I know what you mean now. Thank you!
关注!
你的工艺说明可以附一下吗?谢谢
你的工艺文件可以附一下吗?谢谢
你对SMIC的电容失配了解清楚了不?可以聊聊不?
SMIC 130nm 工艺下 多晶电阻怎么构成 由那些图层构成。
非常不错的资料
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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