芯片内部电流与芯片内部温升
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芯片内部电流上升与芯片温升（不同封装大小不同）的关系，诚心请教！当在做电源管理IC时，温升导致带载能力的下降，希望以此在系统设计时选择合理HVMOS(导通电阻值)。
好像小编说的是功率管选择的问题吧
算是吧，IDM设计模式，在没有模型的情况下想做一个内阻较小的HVMOS，以便使芯片正常工作时内部温度低一些。但是导通电阻和面积需要折衷考虑，没有模型可以用来仿真，所以请教电流与温升的关系，比如电流上升1ma 温度大概升高多少?这样就可以估算最大带载时电阻！
测试吧，根据测试值来调试，一开始设计没有太多参考的。
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