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请教LDO外接大电容和内部米勒补偿可以共存吗?

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如果采用PMOS作为调整管,设计一种大负载能力的LDO(最大负载1A),为了保证LDO的瞬态特性(LDO负载电流迅速变化的情况),一般会在LDO输出端接一个大电容(大于10uF),这样输出极点频率就会很低(输出极点频率会随负载变化,但是由于10uF的外接电容,也不可能太高吧)。而米勒补偿作用是在内部引入(建立)一个低频极点。
这两个低频极点很有可能会重合,看了一些文章里,加上米勒补偿后,需要采用零点跟踪补偿技术来抵消输出极点的影响,但是输出大电容和轻负载的情况下,我认为是很难抵消的。
还看到论坛里一些讨论,说是米勒补偿适合capless的LDO。但也有一些案例是米勒补偿和外接电容是共用的。
请大家讨论和指导一下,外接电容多大时,适合用米勒补偿(共源共栅米勒补偿)。
PS:我的问题不太具体,请大家多包涵。

我们做的LDO,基本都是加输出电容的,10u也不算很大。可以用米勒补偿的,就是零点要去补偿输出极点,可以让电阻变化的


感谢您的回复。根据客户要求,输出端必须接10uF以上的电容,而且要求输出负载电流在0~1A的范围内均要求稳定。
我现在用的补偿结构就是共源共栅米勒补偿,输出负载电流在5mA~1A的范围内都没有问题,但是当输出负载电流小于5mA时,就会出现振荡现象。我仿真了输出电流为1mA时(电阻负载)的波特图,发现这种情况下输出极点频率只有0.5Hz。而我内部的零点没办法做到这么低。

请问一下,这种设计要求采用米勒补偿有可能实现吗?
PS:问这种问题比较奇怪,主要是我害怕有方向性的问题。请不吝赐教!


1.在你目前电路的基础上,试试调节补偿电阻和电容有没有用?2.我们确实没做过带1A的LDO的补偿。还是要用米勒补偿的,用零点去补偿变化的输出极点,不然如果输出是主极点的话,它老是在变,不是我们想要的;确实负载范围太宽了,跟踪可能会有难度,我不知道你的电阻是怎么做的,变化效果是否理想?

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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