Bandgap仿真波形

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各位坛友，我采用经典结构搭建了一个bandgap电路

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在-45°C到200°C温度范围内进行DC仿真得到如下波形

在-45°C到105°C范围内是一个开口向下的碗形波形，然后Bandgap电压开始上升，
在150°C以下，该电压值还在一个可以接受的范围（2mV），
150°C以后，输出电压迅速变大，到180°C时，已经变化12mV。
现在我不太清楚，105°C以后输出电压上升的机理，是不是由于电阻本身的温度特性造成的?
如果想改善这个电路，该从哪个方面入手?
PS：我是用华宏的工艺进行的仿真。
请各位帮我指点一下思考的方向，不胜感激。

你可以求一次倒数，再求一次导数，看一看。

180摄氏度
你确定model能扛得住吗
另外，高温上翘正常，可能由于启动电路漏电

感谢你的回复。你的意思是要找到二阶补偿点吗?不是很明白这样做的意图。

感谢你的回复。180摄氏度的时候，其它部分电路（运放）工作是正常的。
我在仿真的时候没有加启动电路（我把电路传了上去）。

应该是出现了三阶吧。

这曲线很正常。高温部分负温度系数跟不上正温度系数，因此变成上升。

原理上没想清楚。不过我把PNP换成了NPN管，高温上翘的问题解决了。
高手能不能帮我解释一下，三极管的温度特性怎么会造成之前的情况?

把PNP管换成NPN管，已经解决这个问题。只是在机理上，我还要再多想想……

那你的温度系数应该变差了。中间比两边鼓很多。

高阶补偿很多都希望能跳出这样的S曲线的。

我也遇到了同样的问题，不知道该怎么理解.

應該是電路結構上的小細節造成的

对，是存在你所说的情况因为我这个系统最重要的要求是高温下BANDGAP输出不能变高，最好是下降的趋势。
温度系数变差在我可以接受的范围。
十分感谢你的回复，你的专业知识确实扎实，向你学习。

至于你说的NPN和PNP的区别我个人感觉是因为寄生电阻所致，一个BJT的三个极都是有寄生电阻的，譬如P扩散电阻一般是正温度系数，而N阱电阻是负温度系数，二者高阶的温度系数不一样。你可以验证一下这个说法

你检查一下你的放大器在各种温度和Corner下是否正常工作，我猜放大器有问题

十分感谢您的回复。这就是我想得到的提示，给了我思考的方向。
再次感谢，我按照这个思路再计算和仿真一下。

感谢您的回复。我初步检查了一下，运放没发现问题，我会再仔细查一下。

学习了

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。

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