MOS管的驱动

各位大侠好，该电路用于驱动后级的MOS管，现在我有一个疑问：1，图中N17/N18/N8以及P13/P14/P15采用串联的方式驱动后一级MOS管,这种串联的电路设计有什么作用呢?
2，图中P17/P18（N14/N15）为什么采用两路驱动，这样的驱动方式有什么好处呢?
谢谢各位的解答。

猜的:
N17/N18/N8 is Long Channel for Slow ON P17  gate to Logic 0V
P13/P14/P15 is Long Channel for Slow ON N15 gate to Logic VDD.
This Circuit 是讓 P18 and N15 不要有同時打開的時間 to aviod Short Circuit Current
因為Width P18 and N15 很大,
P18 Width >> P17 Width
N15 Width >> N14 Width
這應該是 I/O Cell 的output Driver Stage,
P19 and NMOS is ESD Device,
但您的電路似乎有錯喔！
(1) R1 floarting ?
有錯誤敬請見諒

二楼说的很好，补充一点：为什么需要两路驱动——第一路P17/N14驱动速度更快，第二路P18/N15驱动能力更大。

感謝三樓補充,
其實 GPIO (general purpose IO) 都這麼做啊！
另外這個電路也可以用在 Power IC 推 超大 Width 的  PMOS / NMOS 的Pre-Driver Circuit 喔！

输入高低电平时，分别利用上下两路单独驱动，上边抽电流，下边灌电流。
1、那样串联p或者nmos，是为了提供一个工作死区，防止上下两路同时导通产生大电流。
2、两路驱动电流方向是不一样的，你工作环境可能要求:同时满足能够抽电流和灌电流。

none overlap

看不出。

学习了

大侠你好！谢谢你的解答，电路设计时确实保证了P18 Width >> P17 Width以及N15 Width >> N14 Width；电路中R1/P7/N7/P10/N19/N11/N10器件的设计也是我不明白的地方，通过原理分析，电路去掉R1/P10/N10（电路中R1的值很小），并且用反向器分别取代N6/N7/P6/P7以及P11/P12/N11/N19，电路的工作状态保持不变，那电路为什么还要这么设计，也希望前辈能指导指导，在这万分感谢了！

非常感谢！

R1/P7/N7/P10/N19/N11/N10器件是叫做POR 機制(Power on Reset)
當VDD 爬升時,R1的點經由P10的耦合電容couple 到R1 點,
這樣會讓out_Driver node = 0V ,
而非IN的Logic,
這樣是預防本身IC VDD 還沒ready 時,
IN 是unknow ,
那推OUT_Driver 推外部IC 就會產生誤動作.
當VDD Stable 後. R1點回歸於0V,
Out_Driver = IN.

非常感谢！

mos管串联，g短接，这样做是为了获得一个比较大的电阻，这样上下两路中电阻分别串在不同位置，两路的转折电压不一样，下面在vthn多一点点，上面在VDD-|vthp|少一点点，这样就分离开了，deadtime就产生了。个人浅见！

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