矩形波导定向耦合器仿真和实验比对
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本人设计的定向耦合器,为矩形波导宽边耦合。1端口为输入端,2端口为直通端,3端口为耦合端,4端口为隔离端(如图1)。仿真时,为节约计算时间,设置为1端口激励,那么耦合度为S31;隔离度为S41。耦合度50dB,隔离度大于80dB,达到方向性为30dB的要求。
而在实际加工以后,隔离端用匹配衰减材料直接密封,所以测量定向耦合器的隔离度时采用的是2端口进入,3端口输出,也就是S32(以耦合器的端口命名)。实验结果耦合度S31为4849dB,而隔离度S32仅大于70dB。
请问:1、针对这种情况,是不是隔离端的衰减材料不能达到匹配负载的标准,导致方向性不好?
2、在后面仿真时,发现理论上定向耦合器为4端口对称网络,但是由于定向耦合器副波导耦合端有扭转,所以造成S41不等于S32.所以是不是在仿真为参考时隔离度就应该以2端口激励得到的,S32为参考?因为后面发现,在S41达到80dB以上时,S32仅为70dB
3、如果上述结论成立的话,能不能得出结论:S32满足隔离度要求的时候,S41必然满足要求;反之,则不成立
请大家帮忙解答!
而在实际加工以后,隔离端用匹配衰减材料直接密封,所以测量定向耦合器的隔离度时采用的是2端口进入,3端口输出,也就是S32(以耦合器的端口命名)。实验结果耦合度S31为4849dB,而隔离度S32仅大于70dB。
请问:1、针对这种情况,是不是隔离端的衰减材料不能达到匹配负载的标准,导致方向性不好?
2、在后面仿真时,发现理论上定向耦合器为4端口对称网络,但是由于定向耦合器副波导耦合端有扭转,所以造成S41不等于S32.所以是不是在仿真为参考时隔离度就应该以2端口激励得到的,S32为参考?因为后面发现,在S41达到80dB以上时,S32仅为70dB
3、如果上述结论成立的话,能不能得出结论:S32满足隔离度要求的时候,S41必然满足要求;反之,则不成立
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