关于MOS管gds的疑问

在调电路的时候发现mos管的在饱和区的时候gds随vds变化还蛮明显的 按道理说饱和区Rds应该不怎么变化哈 并且我用得栅长蛮大的（1um） 麻烦高手解释下 多谢

你再仔细看看现代工艺中MOST是什么样的，halo doping,DIBL，SCBE效应，早已经不是长沟道器件（4um）的理论情况了，vds—id曲线一直在常规的饱和区上翘，不是平的

Vds变化时在饱和区都会差个五六倍 。有了解的么

回复 2# mylove2

    根据手册中的图在vdsat不大的情况下 饱和区表现还是蛮好的 这个给的也是在1um左右情况下

为什么要信手册?自己带到spectre里仿真看看，到底是什么样

    手册应该算是比较可靠的 还有测试结果 不要完全信仿真软件。

gds的倒數是小信號參數ro，而不是大信號參數rds

    的确是小信号， 但从物理上分析在L=1U的情况下也不该有几倍的变化。你怎么看?

   ro = 1 / (lamda*Id)   仿真时lamda的值和Id的值有沒有變化?

    你好 我是直接print看管子的DC工作点的 然后R=1/gds的，
在sprectre中我看到的lambda=0，你是用什么工具看得?

手册比仿真工具更可信吧

手册可信。

能细说说MOS管的具体环境吗?那种管子，在什么电路，如何偏置，怎么看的Rds?

    嗯 我也持这种态度。

    这个是正常现象，vds增加，由于沟道调整效应，ro先增加；vds继续增加，由于DIBL效应，ro随vds平缓；vds继续增加到很大，hot Carrier，ro迅速下降。
我们设计模拟电路是vds一般变化不大，特殊位置的vds变化很大时，又用到该管的ro保证某些性能，这就必须用L很大比如L=10um。以减弱ro随vds的变化。

   lamda肯定不應該等於0的  spectre的顯示不對  你先確認一下Id有沒有變化  如果Id有變化的話  ro肯定會變化

書上說的都是概念 真實的MOS rds 與 Vds是非線性關係 而且隨製程溫度飄移很大

   你说rds会差5、6倍   我想问，你仿真的时候，管子宽长给的多少? Vgs给的多少? 看gds的时候，Vds是从多少V变化到多少V，变化是5、6倍?

就算手册是对的，如果设计中看到的不一样，弄不明白看到不同现象的原因，对于不对也就没有多大意义了。可能还是需要搞明白看不到真实值的原因。但好像小编，并不是太有兴趣细说他的环境和做法。所以只好由他瞎猜了。

    L=1um，VGS是固定的 都在饱和区，VDS从300mV到600多.根据1/gds计算Rds应该靠谱吧

    电流变化，电阻肯定会变化。但这里面电流的变化在2%以内

   Vgs具体是多少

   我想明白了  應該是這樣：
   gds的物理意義是  Vds變化一定量時  Ids變化多少  
   也就是說gds的定義裏面本身就包括Vds的變化     所以如果去看gds隨Vds的變化  其實是沒有實際意義的

   因為gds里面本身已經包括了Vds的變化

    特意看了下Vgs=570mv，vth=470mv。

    嗯 gds是id对vds的导数，我说的gds随vds变化很大指的是比方说vds=200mv时对应的gds1和vds=600mv时对应的gds2相差较大 。应该来说还有意义的。

   请问你资料里的QQ是否是你的常用QQ呢?刚刚给你的那QQ发了封邮件，麻烦你啥时候抽空给小弟回复下呗~先谢谢了哈

1/(LAMDA*L) = VE*L/Id，，，，，，，VE怎么看?

LAMDA=1/(VE*L)，VE是否会变化，怎么看！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。