迷惑的运放开环增益，失调电压与温度，模型，电压的关系？

对于一般双端输入单端输出结构的两极运放（第一级为差分，第二及为一般的反相放大但其尺寸较大）
1．在仿真开环增益时，负载电阻要不要加上?
2．在40℃，TT情况下开环增益可以达到75DB，但当温度变化时（-20℃-----80℃）或者工艺模型变化时（TT，FF，SS，FS，SF），或电源电压降低时差分运放的输出和第二级的输入端的静态工作电压会变化很大，导致第二级会进入线型区甚至是截止区，这样一来开环增益会变得很低（-40多DB），我在仿真开环增益时是直接在差分运放的输入端VIN加DC 3V，AC 1V，VREF端加DC 3V，而没有考虑补偿失调电压，请问当温度或工艺模型或电源电压变化时导致开环增益会很低是不是主要因为没补偿失调电压而引起的?一般在做开环增益等仿真时要不要先在差分运放的输入端加失调电压补偿啊?特别是在温度，模型，电源电压三种条件组合变化时?还有，对与功率运放是不是也是这种情况?

你需要看看allen书上，有一章是讲如何仿真op的，那上面讲得很清楚，op的直流工作点是依靠直流反馈确定的。

看过
看过，但没说清楚在温度，模型等变化时要不要加失调电压补偿后再仿真开环增益?

要失调电压补偿吗?
在仿真开环增益随PVT变化时要失调电压补偿吗?一般产品的实际测试的失调电压达到12毫伏是不是正常?

首先，你要搞清楚运放的应用环境，你是要驱动大电阻还是小电阻，再确定你第二级的结构。要仿出正确的增益，还要保证你的负载电阻不会小于你的输出电阻。然后你miller补偿要补偿到什么程度。
至于失调电压，你要尽量避免因为尺寸失配带来的结构性失调。一般而言，对于cmos工艺2-20mv之间的失调还算正常；
倘若你的工艺角变化而会导致第二级的管子无法保持在饱和状态的话，你就要好好思量第一级的输出电压问题，或者第二级管子尺寸大小是否与电流匹配的问题；必要的计算是必须的。
你确信尺寸不存在失配了，而电源电压变化后，对运放的影响极大，那说明你的运放电源抑制比比较低，你要考虑一下是否更换结构。
另外，偏置电压的确定也很重要。你要仔细研究model file的各种模型，确信阈值电压等参数变化后，运放还能正常工作。

小编直流工作点设的不对吧，应该用闭环直流仿真来确定工作点。

工艺角变化时失调电压仿真值达２０毫伏
ＣＭＯＳ工艺角变化时运放失调电压仿真值达２０毫伏，这算是正常吗?一般在ＰＶＴ变化时失调电压仿真值最大可以是多大?

工作点问题

工作点怎么定啊，有什么实用点的资料?

看格雷的书，上面有

小编直流工作点设的不对吧，应该用闭环直流仿真来确定工作点。

工作点怎么定啊，有什么实用点的资料?

在不同的corner下工作点都要保证就可以了
:D :D :D

IF your op need ouput large signal swing
you must pay attention about openloop gain maybe degrade due to large signal swing

工作点
没有做好。设歪了。

可以DC扫描看看，一起关注中

我测量运放ac参数时,正输入端加Vdc(设需要的直流电压）和Vsin到地,负输入端和输出之间加100M电阻,同时负输入端通过10uf电容到地，这样挺好用的

我也觉得是本省的静态工作点设计不合理，造成的。
而且不同的模型，当然要求不同。怎么能用不同模型仿真同一电路呢?根据需要，却定模型

我觉得是电路设计的问题
管子尺寸和偏置取的不够好
不过如果只有一两个corner不过也是可以的

先下了再说

你有某些管子退饱和了。
详细的说，就是你在tt下，某些管子处在饱和边缘区，而在corner下，这些管子就退饱和了。所以你的增益会掉的利害，在弱反型条件下，mismatch也会随之变大，offset变大也就自然可以理解了。
你应该仔细察看每个管子在tt下是否饱和，并且留有足够的裕度，在出问题的corner下，察看管子，是否有管子退饱和了，如果有那么重新设置工作DC点。

看晕了

Allen书上讲的没看懂

学习中！

葛雷的书要怎么看啊?

小编和我的疑问一样呀~！  学习一下

5楼大师分析的很详细，多谢了

请问格雷的书是哪一本呢 具体章节是哪些呢? 初学者不太懂，请多多指教，谢谢！

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