ADS仿真CMOS反相器问题

真搞不清楚这哪是PMOS哪是NMOS。

上管是pMOS，下管是nMOS

研判原因是你的PMOS與NMOS的SIZE給太小,推不動10pF的負载,
所以rise time 造成非常的長.....
10pF 換成10fF 就正常了,
或加大PMOS/NMOS Width 也可以.
PS: 10pF 的負载對一顆inveter是很大很大的.

我刚刚把电容的值换成了10fF，仿真结果中出现了非常大的峰值。

Input (Vin) Rise time and fall time 不可以是0nsec?
設定10nsec吧?
再試試看！

我之前设置的是1nsec，改成10nsec之后也没有明显的变化唉

去掉负载，你的管子尺寸给的太小了

for 0.18um CMOS Process
PMOS W/L=10um/0.18um
NMOS W/L=4um/0.18um
你的Size 接近嗎?

Sorry:
For 3.3V CMOS Process:
PMOS W/L=10u/0.3u
NMOS W/L=4u/0.3u
try it ?

嗯，刚刚试了一下，好很多了

应该是负载太大了导致的原因，减小负载和修改管子的W/L之后好很多了

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