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这样画电阻是干什么用的?

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如图,rpplus_3t的电阻用poly又插指放入间隔,而且poly全部短接在一起,接rpplus_3t的sub端,这个是什么用意?



    这是利用自动准的原理去做高精度的注入,保证注入电阻的绝对值精确.
又看到翻MPS芯片的了

    高手啊



   高手啊,从这个都看出来是MPS的芯片啊。那高人知道一般的工艺能这样做电阻么?



    有了这个高精度电阻,Bandgap就不需要修调了,对吧?



   纠结的还在评估工艺中,有NJFET还要200V的耐压,而且还有这种电阻。一般的工艺厂可以做这种电阻么?



   呵呵,他就是mps的layouter,你翻的片子很可能就是他画的。



   我只能悄悄的走开了。MPS真心还蛮上档次的。



   MPS是家优秀的公司。翻它的片子能学到不少东西,但是你想Recover就不太可能了,人家有自己的工艺,所以看看思路,自己想办法解决自己的问题了。


    原来是MPS的高人啊。那我就继续问了,这两个个高压PMOS版图上面为什么不一样呢?



   嗯,我也是这么想的。我能用的工艺就那么点,没有办法复制这种工艺独特的东西的,但是我希望能够有高人让我了解得更多。



   那是人家MPS的机密!另外,我不是MPS的员工,谢谢



   在bbs上问这些问题,你搞的也太光明正大了。


   ,这里是交流技术的地方,其他的一概不谈啊。



   嗯,是机密我就不问了。那我就自己分析琢磨吧,谢谢啦!

貌似只是大小和连接发生了变化,结构应该没变。



   你说到“这是利用自动准的原理去做高精度的注入,保证注入电阻的绝对值精确.”   这个我没有听说过,在网上也没有找到,能大概介绍一下,或者告诉我到哪里查吗?
   新知识想了解了解,谢谢!



    类似NMOS和PMOSd的 active注入



   谢谢!请问是代工厂流片过程中的注入吗?在哪里能找到相关资料?

学习了,很有意思。



    什么时候核心技术可以公开交流了?


   自对准也不算什么核心啦,我问了下我以前公司的同事,他们都在上华做过这种自对准的pplus电阻的,只不过是我孤陋寡闻啊。

其实只要你poly 电阻的方向都是一个方向放就可以了,至于更多的,其实设计者没办法。
这个电阻除了离子注入角度和方向,还有PVD的角度和方向。一般在fab都会有个horizontal或者vertical的对比。



   我是说你后面问的

啥芯片? 看起来挺高大上的。

核心技术,完全不懂行情的学习中……

高手,学习了

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