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模拟设计中每个MOS管子的静态工作点都要设置在饱和区

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本人设计小白,在学习模拟IC设计,想请教各位大神,在不同的电路设计中,静态工作点分析,每个MOS管都要进入饱和区才算吗?个人觉得不对啊(有的电路中的管子就不可能处在饱和区)
这是小白的无知还是?
还是case by case

多数情况下是要利用管子的饱和工作特性,但某些电路可能也要利用亚阈值或线性工作特性。具体为什么要设计成工作在某个工作区域特别是常利用饱和区的特性,需要自己去学习去研究了,几句话讲不完。



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