bandgap corner仿真

这个貌似我也遇到过，关注

就个人而言,
没有办法解决。.
电阻,bjt以及opamp的gain, 以及ooffset影响等等..
片面追求全corner下的高准确度是有点overdesign的感觉。
最终还是靠silicon说话。通常都需要增加trim电路来实现理想的基准输出。.

    你有trim的资料吗?能不能传我一份， 相互交流一下。

corner 下ppm  变化不是特别大，都是很正常的事情，只是看能否满足电路要求，如果不能满足就需要优化电路或者换电路结构，或添加trimming 电路

很多时候为了全PVT的性能，需要对TT下的性能有很大的影响，有时候感觉真的很难设计了。

    我也想要个trimming的资料

首先 我怀疑你你地结果：2ppm/c 不trimming几乎是不可能的。你的电阻要用pdk的电阻。corner下温度系数变化是很大的，我做的似乎是ＭＯＳ＝ss,bip=slow,res=fast,和mos=ff,bip=ff,res=slow是两个基本点极端.trimming一般分四步，上下能调１００mv就可以了。实际芯片中的基准并不需要那么高的温度系数。

    能麻烦留个方式（QQ）相互交流一下吗?谢谢

   我那个2PPM是前仿得结果，不是实测的结果~估计流出片子精度肯定会变差的。

仿仿MC吧，看这个ppm都是徒劳。

器件的温度特性和工艺相关

这样的结果已经很好了吧，对通常的应用。

谁有triming的资料分享一下，感激万分！

这是很正常的，如果你用的工艺比较好的话可能会好点

2ppm...

    2ppm.... 调了很久吧。 差不多是我见过最牛的BG了，不知道PSRR是多少。 这么漂亮的数据估计用处不大

很想知道MC仿真怎么做，是不是仿真用的一个工艺参数变化文件需要从foundry得到?

若没有运放的失调，tt下要调到2个ppm是正常的。在不同coner下VBE的温度系数是又偏差的，而你的正温度系数比例是根据tt条件下的VBE的温度系数得来的。

学习学习

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