ESD保护结构

首先是输入端ESD保护吧，输出端ESD保护没有电阻的
先经过保护管，再经过电阻，阻值根据内部输入负载来确定，RC计算上一般1n就够了吧，再多就可能要影响功能了
常规电阻100~200ohm左右也够了

学习了

做ESD时候,好象是不分输入/输出的吧
对这个PIN加PS/NS看承受能力,所以应该是先接保护管,再接限流电阻.

是这样的，刚做的一个项目里，在输入输出脚都加了ESD保护，都是从PIN脚看进去，先是N管接成二极管形式到地，然后才是限流电阻。唯一不同的是，输入端的限流电阻是1.1K，输出端是440欧姆。但是最后流片测试结果是，输入到4KV，输出只有2.5~3KV。输出端都是电压跟随器输出的，直接接限流电阻到PIN。这是怎么回事，为什么差别这么大?

这个很正常啊，估算一下RC常数就可以了
好像这个二极管设计上可以改进些，是工厂提供的ESD二极管结构吗?

这个正常，和很多因素有关

工艺上没有提供详细的ESD保护结构,所以才郁闷.
那这个很正常是什么意思呢?如果我想要提高ESD的特性,该从哪方面下手呢?

如果不能加大输出端限流电阻，可以考虑用二级ESD保护，就是在限流电阻后再放一个ESD保护原件，这个元件可以比第一级小

随便瞎说几句，可以做如下尝试
输入级二极管改成栅端通过电阻接地的NMOS，然后提高这个电阻阻值，或者在栅端和输出端之间耦合个小电容（可以不用特意做，走线上版图上有意识提高这部分寄生电容即可）
内部输出管的漏端可以的话做unsilicide mask（如果工艺支持unsilicide poly resistor）
内部输出级人为增加些电容负载
提高输出级串联电阻

还有增加输出级管子的漏端面积，譬如增加CT-PL的间距等

我的建议是先找到坏点，再想办法，failure的原因很多，就算分析的很有道理也没有十足的把握

2KV以上，一般厂商不提供，要自己试，SCR可以到6KV！

对于analog很少加的

不错，很好啊

thanks
thanks

学习中

学习中

其实这里有几种保护模式/机制：Human Body Mode(HBM), Charged Device Mode(CDM), Machine Mode(MM). 每种保护机制对应不同的结构。
一般的芯片是要求能承受HBM和CDM的 ESD Event的。HBM是不带电阻的，CDM是必须要电阻的。连在gate的pin要加电阻，连drain的pin不用加电阻。

输入电阻一般多用在数字输入，很多工艺上推荐diff电阻，普通电路一般取值200欧姆左右，为预防pin to pin放电时电流流过此电阻同时在内部节点附近产生较大的电压，一般我们采取的方法都是在ESD结构之后加电阻，你所提到的输出结构只能过2k多伏，主要问题还是你的输出结构的ESD结构有问题，有机会的话可以刨个片看看坏点或者大电流，然后才好分析问题的所在。

貌似esd还没有定论！

thanks
thanks

学习中，谢谢

看一下

哦，原来是这样的。

对于输入PAD一般有那个小电阻，一般阻值为200ohms  类型为Poly  输出PAD一般没有！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。