求教：如何通过标准Si工艺的电学参数估计其工艺参数（如掺杂浓度）
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在标准CMOS工艺中，只给出了一些仿真参数，怎么才能知道或估算其掺杂浓度呢?
同问
对工艺模拟的时候由电学参数反向得到工艺参数非常有用，不过感觉难度不小，因为工艺参数－>最终电学参数的过程太复杂了，几乎是不可能完全推断出来的，只能有个大概的对应关系，否则fab们都不用混了，一给出他们的电学参数，他的工艺也就曝光了，
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