tsmc中nmos2v和nmos3v的区别

所用到的电源电压不同

1.8V和3.3V

    谢谢哈，但是我nmos3v选用5v电压，仿真的可以仿真，会出现什么问题吗?

    是不是只有用1.8v和3.3v以下的电压?如果所用电压超出1.8v和3.3v仿真没错，会出现什么问题呢?   谢谢哈

同问：1 比建议电源电压高或者低有什么影响（如1.8,3.3）2 为什么会有这个建议的电源电压?或者说是代工厂的目的是什么?

等高手！

1 比建议电源电压高或者低有什么影响（如1.8,3.3） => 电源电压高損壞晶體管; 电源电压低沒有
voltage headroom
2 为什么会有这个建议的电源电压?或者说是代工厂的目的是什么? => 避免电压高損壞

超出1.8v和3.3v約10%仿真沒問題
超出20%以上 spice models 不正確

    哦  谢谢哈    5v仿真和仿真给出的数据计算是有一定的差距。3.3v计算和仿真相差不大。

spice model 只是某些特定下做
3.3v ..當然代工場會拿 3.3v  實測去FITTING  
spice model ..
以前做過高壓 0.5um 40v  ..
你知道嗎
40v .  vgs ~ 40v  dual gate .
但是 real mos 量到是  40v ok ..
20~30 v  有SHIFT 一些
代工廠說他們一般是 fiiting 某些電壓
不可能 vgs = 1v .. 1v step scan ..
所以真的有差.
Ids current w=20um  ..你畫 100um  出來也是變差
  也是 model 不準.

3.3V的nmos管用5V电压可能会出现仿真结果与实际测试结果出现很大的误差，而且击穿电压只有3.9V比较危险

请问3.3V的mos管和1.8V的mos管最高耐压多少?一个是电源电压，一个是栅电压。

3.3V的和5.5V的工艺参数不一样！

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