三种差分对（有无尾电流，衬底是否接地）的CMRR比较

如下图所示：
比较3种差分对的CMRR

EE240-2010中的L11讲到这个问题，前几天笔试也碰到（选C，估计错了），根据EE240的说法是B好点。
但是从Razavi书中P52-3.55和P56-3.71公式来看，衬偏效应减小了Acm，
如果认为Adm相同，（?考虑衬偏还是虚地么?）
那么根据CMRR=Adm/Acm考虑的话，感觉C的CMRR要好一点。

自己顶一个，求解答

选2的话衬底到地的漏电流如何考虑?
不用soi或者埋层还没人敢这么接。

deep nwell就是埋层

    埋层貌似不是这个作用

   埋层可以起到隔离的作用

   每个工艺都有dnw?工艺中每个管子都能用dnw?

    光有个埋层做不到这么接法吧

   题目这么出了，不少工艺也是可以这么做的，你为何要纠结每个工艺或每个器件都能这样做呢?

折腾了半天，没人回答小编的问题

    还是你懂我

   这就是个题，不是工程实际
我现在的问题是根据书上计算是C的CMRR好，可是EE240说B好

    晕，EE240和Razavi不是说的一回事么?衬偏效应降低了Acm，所以衬底电位越高CMRR越大啊。

   拉神明明说的是有衬偏效应的会降低共模抑制Acm当然是增大了····

选B····

    是降低CMRR还是Acm?我读书少，你别骗我。

   因为共模增益增大了，所以共模抑制降低了，难道不是这样吗?小弟读书比h博士少很多，诚惶诚恐啊，求指教

和工艺相关，B和C比较是认为C的接法会在差分对的源极引入电容，对高频信号起短路作用，共模增益增加，CMRR减小，准确的讲引入一个极点，CMRR高频时减小。
仅供参考。

   "晕，EE240和Razavi不是说的一回事么?衬偏效应降低了Acm，所以衬底电位越高CMRR越大啊。"
是啊，根据书本我也认为是衬偏降低了Acm，进而CMRR更大，可是EE240说B的CMRR更大

  ” 拉神明明说的是有衬偏效应的会降低共模抑制“
求教，在课本哪说到了?

   你打错了吧，没懂你说的逻辑

   共模增益怎么就增大了?说详细些嘛

    小编说的是降低了Acm，你说的是降低CMRR，这俩正好相反。很多年不看拉神的书了，原话怎么说的?

    仔细分析一下，我觉得你可能搞错了。衬偏应该会增加Acm。尾电流正端，也就是mos管s极，是受共模电平控制的，C图中这个节点会通过背栅调制作用影响输出的共模电平，而B图不会。
    所以答案确实是b。
    而衬偏效应还会导致输出电阻降低。Adm应该也会降低。

呵呵

   考虑衬偏效应的小信号模型和增益如下图，gmb出现在分母里，还是减小了Acm啊

   这个怎么叫Acm?

   共模半边电路不是这样么?

   如果这个是Acm，那Adm呢?没有差分对，就没有所谓的共模、差模。

   如图考虑差分对

如果尾电流理想，那么黄色内部等效为一个黑盒的话，
由于黑盒两端没有电流的变化，vout的共模不变，这么说是否合理?
如果尾电流阻抗有限，就回到了上面的差模半边等效，这是否合理?

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