请教关于过驱动电压的问题

比如我要设计一个MOS管的过驱动电压为0.2V，在cadence spectre中设计电路的时候查看静态工作点，是看VGS-Vt使它为0.2V，还是看Vdsat为0.2V呢?VGS-Vt和Vdsat差别还是有点大。
谢谢大家！

过驱动的定义是VGS-VT ，   vdsat是在某一个VGS下管子达到饱和的ds电压，所以是看VGS-VT

个人这样理解：
Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差， 饱和区电流较大时，有Vod大于Vdsat，Vod体现了管子的工作状态

怎么没跟贴啊

Vdsat 是线性区与饱和区边界时Vds的大小
Vod 是Vgs 与 Vth之差， 饱和区电流较大时，有Vod大于Vdsat，Vod体现了管子的工作状态；Vod是判断晶体管工作状态的一个条件

dfdsf
那就是调参数的时候偏置主要看vgs-vt，看饱不饱和就看vds是不是大于vdsat就可以了

难道vod 英文全称是 voltage over drive?

我是来听jj的，LZ继续讲

一般来说，如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat，那么Vds>Vdsat，管子就工作在饱和区了，
上面的结论只对长沟道器件有效，大家现在一般做0.5u的process的话，就要考虑二阶效应了
此时，如果 Vds<Vdsat,工作在triode region，Vod close to Vdsat
                 Vds>Vdsat,工作在saturation region，Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路，在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度，容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解，欢迎大家指教！
大家可以参考  http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod（Vgs-Vth）就可以了。

一般不会让Vds=Vdsat， 否则状态不稳定，容易进入线性区

请回答以下简单问题

我是来听课的

受教了，自己一直弄反了

一般Vod>Vdsat
Vod=Vgs-Vth0, Vdsat=Vgs-Vth(VSB=Vdsat)就是前面说得饱和区何线性区的分界点
Vth0<Vth(VSB=Vdsat)

我是来听jj的，LZ继续讲

...........

栅源电压减去阈值电压是书上定义的过驱动电压。
Vds是漏源电压，一般在饱和驱时会大于过去动电压

一般来说，如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat，那么Vds>Vdsat，管子就工作在饱和区了，
上面的结论只对长沟道器件有效，大家现在一般做0.5u的process的话，就要考虑二阶效应了
此时，如果 Vds<Vdsat,工作在triode region，Vod close to Vdsat
                 Vds>Vdsat,工作在saturation region，Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路，在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度，容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解，欢迎大家指教！
大家可以参考  http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod（Vgs-Vth）就可以了。

大家设计电路的时候，都是先确定vdsat，可VDS是如何确定的呢，比如一个有源电流镜，输入管和尾电流源的VDS是如何确定的?

小编啊，别想的太多了，过驱动电压的定义就是Vgs—Vth ，当Vds小于Vgs—Vth 时，管子在三极管区（线性区）；当Vds大于Vgs—Vth 时，管子进入饱和区。
其实，过驱动电压Vgs—Vth   就是线性区与饱和区的分界点，所以它就是Vds(sat)值。

同意，你说得简单而且正确。其他人说的乱七八糟。 2# cicixu

thank you

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谢谢各位大侠感谢~

mark，Vod和Vdsat的关系

看看sansen那本书就明白了

vgs-vt就是过驱动电压。实际上在BSIM4模型中，G上的重要参数就是vgst。

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