两个L/2的MOS串联和单个栅长为L的MOS管的I-V曲线有什么区别呢？
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它们的衬底均接地；两个L/2的MOS的栅接同一电压
本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别
求问下PSE是?
长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。
短沟具体差别体现在哪?能画个图说明吗?
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