求达人指点LDO

最近在做LDO，被卡在负载调整率上。
负载调整率要求峰峰值小于100mV，由于LDO向一个数字模块供电，电流均值为11mA左右，大致在5mA到15mA间变化，频率不小于2.5G。由于为soc应用，无外接电容，且面积要求在10000um*um内，可计算出片上电容最大为50pF左右。另外要求psr尽量小于-20dB，其他要求可以放松。
尝试了一些结构，觉得很难达到，不知有哪位达人指点一下，在此谢过了。

引入SR enhence电路   全频率范围psr小于-20dB 应该不难达到

    恩，看过一些关于SR提升的文章，但是他们文章中测试的时候电流的上升时间一般在1us左右，我做的这个LDO最快的变化可以达到50ps，个人感觉SR提升好像不太容易做。

有SR提升的参考文献嘛?想参考一下！谢谢

有个问题不太理解，无外接电容情况，是不是主极点就位于内部了，那么输出岂不是有个很大的transient variation新手求指点，谢谢

    这个根据你用的结构有关，比如传统的LDO结构，如果用片上电容接在输出作为补偿电容，瞬态响应当然就与你的环路速度、SR和输出节点补偿电容的大小有关了。又比如flipped voltage follower结构，一般输出节点的电容很小，主极点在环路内部，那在瞬态响应时输出节点的电容所提供的电流就微不足道了，瞬态响应就和环路速度和SR有关了。我是这样理解的。

最好是用source follower的结构， 不过像那么快速度的current, 主要也就只能靠decoupling cap 咯。

    恩，要命的地方就在这，所要求的面积太小了

   多谢，我再想想flipped voltage follower这个结构

既然功耗要求不高，就用nmos source follower吧，自己做一个charge pump.
既然给数字供电，为何还要求psr捏?和你项目经理沟通下吧。

   求指导！求上个结构图

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