MOS管串联的等效宽长比
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请教一下，如果多个MOS管串联（W和L均一样），它的等效沟道长度是n*L吗?
基本可以这么理解 略有不同
如果工作在线性区，两者很接近吧。
差不多吧
如果是高精度应用，串联去做mirror之类不建议使用，因为只有最上边串联的pmos或者最下边串联的nmos状态正确，其他不正确，如果是亚阈值mirror之类，问题不严重。
其实可以计算一下，如果是并联，情况很简单，串联的话，假设是两个PMOS，上面的PMOS工作在饱和区，下面的PMOS分成饱和区及线性区两种情况讨论，最终得出的结果是W/2L，忽略被栅效应。
忽略背栅效应是怎么得到的?
他们的转移特性和输出特性上有什么区别吗
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