急求TSMC0.25um工艺参数
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设计并优化两级运算放大器参数：TSMC0.25um工艺参数计算，Tanner EDA仿真
W/L=2I/K'[VDD-Vin（最大）-VT（最大）-VT（最小）]^2
其中0.25um工艺库中VT是多少，以及VT的上下浮动，最大值和最小值，K',入为多少
W/L=2I/K'[VDD-Vin（最大）-VT（最大）-VT（最小）]^2
其中0.25um工艺库中VT是多少，以及VT的上下浮动，最大值和最小值，K',入为多少
可以试试拿一个固定W/L的MOS(比如2u/2u)在不同的corner下仿真直流工作点, 可以看其Vth值的最大(ss,low Temp)和最小(ff, high temp); 已知电流, 电压和W/L可以用长沟道的模型公式求解K';
更详细的方法可以参考Allen的CMOS Analog Circuit Design(2nd edition)的appendix B "CMOS device characterization"
好的，我仿真调整试一试，谢谢您
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