运放和压控压源（VCVS）的区别
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各位大大：在analog设计时都应该用过VCVS做理想运放吧，不知道有没有试过仿真带隙基准时，将设计的MOS运放换成VCVS。理论上，用VCVS仿真的带隙基准应该有理想的温度特性
但实际仿真结果是，用MOS运放的带隙基准的温度特性曲线是抛物线形状的，而用VCVS的带隙基准
温度特性曲线反而很差。
想不通啊?。这是为何?
但实际仿真结果是，用MOS运放的带隙基准的温度特性曲线是抛物线形状的，而用VCVS的带隙基准
温度特性曲线反而很差。
想不通啊?。这是为何?
应该是VCCS
啥曲线?直的?弯的?螺旋的?
对阿，MOS管是电压控制电流源
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