有关IBM的BiCMOS电路问题，那位大牛知道？求教！

问题：在BiCMOS工艺中，设计一个最简单的共发射级放大器，如图；
在合理的基极偏置下，我查了NPN的工作状态，gm，beta等都正常，但是进行交流仿真的曲线不正常（低频时小于1，高频是上翘到3左右），和理论计算相差非常大，而且曲线的形状不正常；请问这是什么原因啊?
注：有两种方法可以让曲线形状正常：1.NPN的发射极不连接有源器件，可以连接无源器件或者直接接地；
                                                2.在有源电流源上连接两个差分的NPN的发射极；
这又是什么原因呢?
那位大牛知道其中奥秘，我觉得有点矛盾啊！谢谢啦！

自己顶一下！

单级没有这么接的，你相当于射极接了大电阻，射极反馈，Gm=gm/1+gmR，你接了大电阻，R为无穷大，整体的跨导约等于0，哪里还有增益。

AT high frequencies I often find improvements using HBT current mirrors other than MOS ones.

如果是single ended的电路 没有这么接的吧 3楼已经说了原因了 高频增益上升 是因为 MOS的电容 起了一定的短路作用 所以 degeneration变小了
接差分的肯定可以 因为差分的地在对称点处 接的这个电流源对差分信号没有影响
LZ卫生不把这个MOS电流源接到 C 端去

1, 发射极连接电阻或者是MOS开关，相当于减小单级GM
2, 差分的交流地在NPN的射及

弱弱问一个，IBM的SiGe BiCMOS工艺对外开放吗?

非常感谢大家的回复，我明白了；有时候自己陷进去就有点糊涂啦！

CMOS 用於低速.
BiCMOS 用於高質量

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