有关基准问题

可以试试看看Allen的CMOS Analog Circuit Design书中4.5~4.6节中关于参考电压输出的温度系数的表达式, 可以看到它与哪些器件参数有.

恐怕最大的问题是载流子浓度的变化。

你这样问，说明指的是mos电路基准啊。掺杂半导体载流子浓度在中低温范围内不怎么变的。温度影响散射率，引起迁移率变化，同时本征费米能级和掺杂费米能级之差φΒ这个参数会随温度变，导致vth变化。对于BJT说，本征载流子浓度ni这个参数和温度有关，迁移率也会影响，而且bjt电流公式本身就含有温度参数

好的  谢谢

说的是MOS基准 那这个偏离问题应该可以通过电路弥补的吧 有这方面的参考文献么 谢谢

受VBE的影响大，随着温度的升高，VBE温度系数的绝对值增大，导致基准电压发生很大便宜，把公式写出来，把他们的温度系数表达式写出来，就能够看出来

Vbe是负温度系数，△Vbe是正温度系数。

要是MOS基准源 不就不存在deltaBE的温度系数关系了么

要是MOS基准呢 不用带隙基准电压源做

设计阶段就校准好像不太可能，因为工艺变化后电路参数变化很大。就我了解似乎是流片后，用trim技术来修调，具体我也不太清楚。文献肯定很多。

    MOS基准也得分是什么情况，如迁移率和VTH进行补偿的基准，ΔVGS与VGS补偿的基准和VTH本身加权相减的基准，看是什么电路，具体问题再分析

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。