为什么在N型衬底 N型外延 P阱工艺中不能做带隙
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为什么在N型衬底 N型外延 P阱工艺中不能做带隙，不能用BJT，有没有相关的资料的
需要工艺和模型支持。
n阱工艺上PNP的C极是衬底，在p阱工艺上就显然不能这么搞了。参考n阱工艺的中的NPN，必须有n埋层才能做。一样的，p阱工艺需要工艺支持p埋层才能做PNP。
N型衬底 P阱 直接在阱中掺杂不能直接做NPN么
NPN能做，但是衬底也就是C极是直接接高电平的，你画个带隙的电路图看看会成什么样子。
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