『击穿电压』求问mos管的击穿电压一般是多少？或者如何计算或者在哪看

小弟在做CLASS—E的功放，输出电压一般来说是电源电压的3.6倍，想问下，输出级的管子用3.3V的管子击穿电压（VDS击穿和VGS击穿）是多少，还有3.3V的管子用2.5V电源电压供电会不会有问题?因为这样可以减小VDS的压力，多谢诸位了

还有3.3V的管子用2.5V电源电压供电会不会有问题?
肯定有

有可能没进入饱和状态

model里基本都会有的，或者你可以查一下栅氧层厚度tox的值
一般tox有几nm，击穿电压就有几V（也就是说击穿的场强基本上就是1G V/m)
如果你是在学校里做，用击穿电压来做参考问题不大；如果你是在公司里，考虑的就不仅仅是击穿，更要考虑其可靠性，比如10年寿命对stress电压要求比击穿电压要低的。

标题

请问2.5V电源3.3V器件有什么问题呢

    看文章说，“功放的晶体管漏极最大电压一般能达到两倍
的电源电压，故在满足设计要求时，一般要让晶体管工作在低的电源电压下
”这里如果电源电压低会有什么问题呢?

   谢谢，tox是不是只能说明栅极击穿，对于源漏耐压在哪看呢?

还有就是击穿电压是看有效值还是峰值呢?

1. 击穿当然是栅氧层更容易击穿，VDS主要是考虑stress（HCI效应啥的）
2. peak value

多谢！

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